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Quantum anomalous Hall effect and tunable topological states in 3d transition metals doped silicene

机译:三维量子异常霍尔效应和可调拓扑态   过渡金属掺杂的硅烷

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摘要

We engineer quantum anomalous Hall effect in silicene via doping 3dtransition metals. We show that there exists a stable quantum anomalous Halleffect in Vanadium doped silicene using both analytical model and Wannierinterpolation. We also predict the quantum valley Hall effect and electricallytunable topological states could be realized in certain transition metal dopedsilicene where the energy band inversion occurs. Our finding provides newscheme for the realization of quantum anomalous Hall effect and platform forelectrically controllable topological states.
机译:我们通过掺杂3d过渡金属来设计硅中的量子异常霍尔效应。我们使用分析模型和Wannier插值法表明,在掺钒硅中存在稳定的量子异常霍尔效应。我们还预测,在某些能带反转的过渡金属掺杂硅中,可以实现量子谷霍尔效应和电可调谐拓扑状态。我们的发现为量子异常霍尔效应的实现和电可控拓扑状态的平台提供了新的方案。

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